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全球首款GeSi工艺3D ToF深度传感器量产在即

文章来源:MEMS公众号 作者:【*】 点击:次 时间:2019/8/16 16:50:22

据麦姆斯咨询报道,作为光学和电子技术的专家,Artilux(光程研创)领先业界发表采用锗硅GeSi工艺的宽带3D传感技术。不同于市场现有的深度传感产品,全新的Artilux Explore系列解决方案具备传感长波长激光的特性,不仅能实现卓越的深度识别精确度、降低视网膜因吸收短波长激光而受损的风险,更同时提升抗阳光干扰的能力,在户外及室内达到一致的使用体验。

Artilux实现宽频3D深度传感技术,下图是在1310nm波长的光线底下所拍摄的3D图像:

Artilux全新GeSi飞行时间(ToF)技术成功克服各项技术挑战,从先进材料导入、光学及IC设计的创新,乃至完整系统及算法的实现,一举打破3D传感技术对长波长光线吸收的局限性,替3D传感技术竖立新的标竿。

环顾市场,目前主流3D传感解决方案大多在波长小于1um(850nm或940nm)的光线下工作,这带来两项技术搭载层面的困境:首先,太阳光对于此短波长频段的光线会造成明显的干扰,使得室外的3D传感性能大幅降低;其次,由于人类视网膜会吸收在此一波长区段的激光能量,当激光器遭误用或故障等情形发生时,均会对视力造成无法挽回的损害。

成人av在线 为解决前述问题,产学界不乏投入长波长技术的先例,不过受限于既有材料在长波长频段的光电转换效能低落,迄今仍未能将可用光谱推进至1μm以上。从代表光电转换率的量子效率(Quantum Efficiency,QE)指标来看,一般基于硅工艺的3D传感器在940nm处QE约为30%,然而当波长进入1μm的区段后,QE便急剧下探至趋近于0%。

反观Artilux则因为采用GeSi作为光吸收材料,并使之与CMOS技术整合在硅芯片上,而能突破长久以来存在于物理和工程上的障碍:在940nm处QE显著提高至70%,而在1550nm处则可维持在50%,堪称业界首例。此外,Artilux Explore的调制频率(Modulation Frequency,MF)设定可达300 MHz以上,能针对特定应用提供更为精细的3D识别效果。

集结高精度的深度感知、阻隔阳光干扰、以及对人眼更为安全等优势于一身,Artilux Explore系列将以极具竞争力的价格问市,无疑在3D传感技术市场投下一枚震撼弹。

Artilux首席执行官Erik Chen表示:“人类智能的演进始于对周围环境的探索和感知,并将相关经验累积连结而成。因此,我们相信‘感知’及‘连结’为智能演进及文明发展的根本,而Artilux的宗旨就是借由持续地扩展先进光子学的知识疆界,赋予感知及连结两大重点领域新的契机,并提供未来人工智能发展及重大技术突破更坚实的基础。Artilux Explore以探索精神为名,期许能引领宽带3D感知技术的发展,连结并释放此技术在各潜在相关领域的无限可能。”

在Artilux持续不懈地优化产品分辨率、及耕耘新技术生态体系的努力下,全球第一款采用GeSi技术平台的宽带3D ToF深度传感器预计于2020年第一季面市,并陆续在各种前瞻应用中崭露头角 - 从短距离的3D人脸识别、室内和室外的深度识别,到中长距离的自动驾驶汽车、机器视觉、增强现实、实时监控等,都将逐步看到Artilux Explore系列产品的身影。

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